氮化物半导体发光元件及其制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要

本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法。六方晶系结晶的粘合层设置在具有氮化物基III-V族化合物半导体层的氮化物激光棒的光谐振器端面上,并且端面涂膜设置在粘合层上。这样,就得到了端面涂膜设置在粘合层上的结构。本发明增加了光谐振器端面和端面涂膜之间的粘合力,从而就不需要通过控制薄膜厚度来防止pn结短路和光吸收。

基本信息
专利标题 :
氮化物半导体发光元件及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1805230A
申请号 :
CN200510136195.3
公开(公告)日 :
2006-07-19
申请日 :
2005-12-20
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
近藤雅文神川刚川口佳伸
申请人 :
夏普株式会社
申请人地址 :
日本大阪府
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
陶凤波
优先权 :
CN200510136195.3
主分类号 :
H01S5/10
IPC分类号 :
H01S5/10  H01S5/028  H01S5/343  H01L33/00  
法律状态
2022-04-15 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01S 5/10
登记生效日 : 20220402
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 夏普株式会社
变更后权利人 : 夏普福山激光株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本大阪府
变更后权利人 : 日本广岛县福山市大门町旭1番地
2011-06-01 :
授权
2006-09-13 :
实质审查的生效
2006-07-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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