氮化物半导体发光元件及其制造方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法。六方晶系结晶的粘合层设置在具有氮化物基III－V族化合物半导体层的氮化物激光棒的光谐振器端面上，并且端面涂膜设置在粘合层上。这样，就得到了端面涂膜设置在粘合层上的结构。本发明增加了光谐振器端面和端面涂膜之间的粘合力，从而就不需要通过控制薄膜厚度来防止pn结短路和光吸收。

基本信息

专利标题：

氮化物半导体发光元件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1805230A

申请号：

CN200510136195.3

公开（公告）日：

2006-07-19

申请日：

2005-12-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

近藤雅文神川刚川口佳伸

申请人：

夏普株式会社

申请人地址：

日本大阪府

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200510136195.3

主分类号：

H01S5/10

IPC分类号：

H01S5/10 H01S5/028 H01S5/343 H01L33/00

法律状态

2022-04-15 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01S 5/10
登记生效日 : 20220402
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 夏普株式会社
变更后权利人 : 夏普福山激光株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本大阪府
变更后权利人 : 日本广岛县福山市大门町旭1番地

2011-06-01 ：

授权

2006-09-13 ：

实质审查的生效

2006-07-19 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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