半导体发光元件及其制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
一种半导体发光元件，包括活性层，该活性层包括阱层，该阱层未故意掺杂杂质、第一障壁层及第二障壁层。该阱层形成于该第一障壁层及该第二障壁层之间，其中该第一障壁层邻近于该阱层处具有第一故意掺杂杂质区，远离于该阱层处具有第一未故意掺杂杂质区，该第二障壁层邻近于该阱层处具有第二未故意掺杂杂质区。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101000940A
申请号 ：
CN200610003629.7
公开（公告）日 ：
2007-07-18
申请日 ：
2006-01-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
颜世男邱荣涂沈豫俊蔡清富
申请人 ：
晶元光电股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610003629.7
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
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法律状态
2012-01-11 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101260717993
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利申请号 : 2006100036297
公开日 : 20070718
号牌文件序号 : 101260717993
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利申请号 : 2006100036297
公开日 : 20070718
2007-09-12 ：
实质审查的生效
2007-07-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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