半导体发光元件及其制造方法
实质审查的生效
摘要
提供一种能够缓和发光光谱中的多峰而成为单峰的半导体发光元件及其制造方法。在以第二导电型包层作为光取出侧的半导体发光元件中，使该第二导电型包层的光取出面的表面的算术平均偏差Ra为0.07μm以上且0.7μm以下、并且使偏斜度Rsk为正值。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556595A
申请号 ：
CN202080072698.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田中治门胁嘉孝
申请人 ：
同和电子科技有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202080072698.1
主分类号 ：
H01L33/10
IPC分类号 ：
H01L33/10 H01L33/22 H01L33/30 H01L33/60
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/10
申请日 : 20201013
申请日 : 20201013
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
