自发光元件的制造方法和制造装置

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

在基板上直接或隔着其它层形成下部电极，在该下部电极上层叠成膜层之后形成上部电极的自发光元件的制造中，即使在下部电极上等的被成膜面上存在异物或凹凸的情况下，也不会形成成膜缺陷部。具备：成膜室(20)；基板保持单元(22)，把基板(1)保持在成膜室(20)内；压力调整气体流入路径(20A)，使压力调整气体(Gp)流入成膜室(20)内；以及原料气体产生部(21)，与压力调整气体流入路径(20A)分开地设置在成膜室(20)内，产生成膜材料的原料气体(Gm)，在使压力调整气体(Gp)流入成膜室(20)内的加压状态下，使下部或上部电极(2、4)、或者成膜层(3)的至少一层成膜。

基本信息

专利标题：

自发光元件的制造方法和制造装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1828976A

申请号：

CN200610058388.6

公开（公告）日：

2006-09-06

申请日：

2006-03-03

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

丹博树

申请人：

日本东北先锋公司

申请人地址：

日本山形县

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

黄纶伟

优先权：

CN200610058388.6

主分类号：

H01L51/56

IPC分类号：

H01L51/56 H05B33/10