基底基板、功能元件及基底基板的制造方法
授权
摘要
提供一种用于在基底结晶层的结晶培养面上培养13族元素氮化物结晶层的基底基板，该基底基板具有：能够进一步减少13族元素氮化物结晶层中的缺陷、裂纹的结构。基底基板(6)具备：支撑基板(1)，其由氧化铝构成；以及基底结晶层(2A)，其设置在支撑基板(1)的主面(1a)上，该基底结晶层(2A)由13族元素氮化物结晶层构成，且具有结晶培养面(2a)。在支撑基板(1)与基底结晶层(2A)之间存在有支撑基板的材质与13族元素氮化物结晶的反应物、以及13族金属中的至少一者(4A)。反应物至少包含铝和13族元素。
基本信息
专利标题 ：
基底基板、功能元件及基底基板的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111094638A
申请号 ：
CN201880059295.6
公开（公告）日 ：
2020-05-01
申请日 ：
2018-09-26
授权号 ：
CN111094638B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
后藤万佐司坂井正宏大上翔平吉野隆史
申请人 ：
日本碍子株式会社
申请人地址 ：
日本国爱知县
代理机构 ：
北京旭知行专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王轶
优先权 ：
CN201880059295.6
主分类号 ：
C30B29/38
IPC分类号 ：
C30B29/38 H01L21/205
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/38
氮化物
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2020-05-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/38
申请日 : 20180926
申请日 : 20180926
2020-05-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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