内埋元件的基板制造方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种内埋元件的基板制造方法。首先，提供一第一金属层以及一内埋元件，第一金属层至少具有二凸点，其对应连接该内埋元件；接着，将该内埋元件放置于一核心层之一埋孔中，并压合第一金属层以及核心层；之后，图案化第一金属层，以形成一第一线路层，且内埋元件与该第一线路层电连接。其中，核心层具有至少一层半固化态绝缘层，在压合步骤中可将其填入于埋孔内，使核心层与内埋元件紧密接合。

基本信息

专利标题：

内埋元件的基板制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101038887A

申请号：

CN200610057445.9

公开（公告）日：

2007-09-19

申请日：

2006-03-15

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

洪清富许武州

申请人：

日月光半导体制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾高雄市

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

梁挥

优先权：

CN200610057445.9

主分类号：

H01L21/60

IPC分类号：

H01L21/60 H01L23/488 H05K3/32 H05K1/18

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/50

应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的

H01L21/60

引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流

法律状态

2018-03-30 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20060315
授权公告日 : 20090204
终止日期 : 20170315

2009-02-04 ：

授权

2007-11-14 ：

实质审查的生效

2007-09-19 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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