监控元件和磁阻效应元件基板及监控元件的制造方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种能够防止短路发生的监控元件和磁阻效应元件基板以及监控元件的制造方法。本发明的在形成由上下屏蔽层施加与膜面垂直的检测电流的磁阻效应元件的媒体对置面的研磨加工时，作为监控该磁阻效应元件的元件电阻的监控器来使用的监控元件，具备结构与磁阻效应元件的磁阻效应膜的膜结构相同的多层膜和施加与该多层膜的膜面平行的电流的电极层。电极层被形成在与下屏蔽层的层叠高度相同的位置上，除与多层膜连接的电极连接部和电极取出部以外的区域被绝缘性保护层所覆盖。

基本信息

专利标题：

监控元件和磁阻效应元件基板及监控元件的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101359476A

申请号：

CN200810165794.1

公开（公告）日：

2009-02-04

申请日：

2005-12-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

高桥亨

申请人：

TDK株式会社

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

徐冰冰

优先权：

CN200810165794.1

主分类号：

G11B5/39

IPC分类号：

G11B5/39 G11B5/187 G11B5/31 H01L43/08 H01L43/12