磁化旋转元件、磁阻效应元件、磁存储器和自旋轨道转矩配线的...
公开
摘要
本发明提供以较少的电流进行动作的磁化旋转元件、磁阻效应元件、磁存储器和自旋轨道转矩配线的制造方法。该磁化旋转元件包括自旋轨道转矩配线和层叠于所述自旋轨道转矩配线的第1铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线包括多个配线层，在与所述自旋轨道转矩配线的长度方向正交的截面中，各个配线层的截面积与电阻率之积，越是接近所述第1铁磁性层的所述配线层越大。
基本信息
专利标题 ：
磁化旋转元件、磁阻效应元件、磁存储器和自旋轨道转矩配线的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628575A
申请号 ：
CN202111499478.X
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
佐佐木智生盐川阳平石谷优刚滨中幸祐小村英嗣
申请人 ：
TDK株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨琦
优先权 ：
CN202111499478.X
主分类号 ：
H01L43/06
IPC分类号 ：
H01L43/06 H01L43/08 H01L43/10 H01L43/14 H01L27/22
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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