自旋流磁化反转元件及其制造方法、磁阻效应元件、磁存储器
授权
摘要
本发明的自旋流磁化反转元件具备磁化方向可变的第一铁磁性金属层、以及与上述第一铁磁性金属层接合且沿着相对于上述第一铁磁性金属层的法线方向交叉的方向延伸的自旋轨道转矩配线，上述自旋轨道转矩配线利用由两种以上的元素构成的非磁性体构成，在与上述第一铁磁性金属层接合的第一面与位于其相反侧的第二面之间，上述非磁性体的组成比具有不均匀的分布。
基本信息
专利标题 ：
自旋流磁化反转元件及其制造方法、磁阻效应元件、磁存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108701721A
申请号 ：
CN201780011944.0
公开（公告）日 ：
2018-10-23
申请日 ：
2017-11-14
授权号 ：
CN108701721B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
盐川阳平佐佐木智生及川亨
申请人 ：
TDK株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨琦
优先权 ：
CN201780011944.0
主分类号 ：
H01L29/82
IPC分类号 ：
H01L29/82 G11B5/39 H01L21/8239 H01L27/105 H01L43/08 H01L43/12
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2018-11-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/82
申请日 : 20171114
申请日 : 20171114
2018-10-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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