磁阻元件,磁阻磁头,磁记录设备以及磁存储器
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
磁阻元件包括磁化方向基本固定在一个方向上的磁化固着层、磁化方向取决于外场变化的磁化自由层、以及包括设置在磁化固着层和磁化自由层之间的绝缘层和穿透该绝缘层的电流通路的分隔层，位于分隔层下面的磁化固着层或磁化自由层包括由横跨其厚度延伸的晶界分离的晶粒，其中，假设每个晶粒的一端的平面内位置被设定为0，并且与该晶粒的另一端相邻的晶界的平面内位置被设定为100，则对应于该晶粒的电流通路在平面内位置为大于等于20小于等于80之间的范围内的区域上形成。
基本信息
专利标题 ：
磁阻元件,磁阻磁头,磁记录设备以及磁存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101325243A
申请号 ：
CN200810108891.7
公开（公告）日 ：
2008-12-17
申请日 ：
2005-11-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
福泽英明汤浅裕美鸿井克彦岩崎仁志
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本国东京都港区芝浦一丁目1番1号
代理机构 ：
上海市华诚律师事务所
代理人 ：
徐申民
优先权 ：
CN200810108891.7
主分类号 ：
H01L43/08
IPC分类号 ：
H01L43/08 G11B5/39 G01R33/09
法律状态
2010-11-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101043679139
IPC(主分类) : H01L 43/08
专利申请号 : 2008101088917
公开日 : 20081217
号牌文件序号 : 101043679139
IPC(主分类) : H01L 43/08
专利申请号 : 2008101088917
公开日 : 20081217
2009-02-11 ：
实质审查的生效
2008-12-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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