磁头以及磁记录装置

授权

摘要

提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括磁极、第1屏蔽件、第1磁性层～第3磁性层及第1中间层～第4中间层。第1磁性层～第3磁性层分别设置在磁极与第1屏蔽件之间、第1磁性层与第1屏蔽件之间、第2磁性层与第1屏蔽件之间。第1中间层设置在磁极与第1磁性层之间，包含选自由Au、Cu、Ag、Al以及Ti构成的第1组的至少一种。第2中间层设置在第1磁性层与第2磁性层之间，包含选自由Ta、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh以及Pd构成的第2组的至少一种。第3中间层设置在第2磁性层与第3磁性层之间，包含选自第1组的至少一种。第4中间层设置在第3磁性层与第1屏蔽件之间，包含选自第2组的至少一种。

基本信息

专利标题：

磁头以及磁记录装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112466341A

申请号：

CN202010170190.7

公开（公告）日：

2021-03-09

申请日：

2020-03-12

授权号：

CN112466341B

授权日：

2022-04-05

发明人：

高岸雅幸成田直幸前田知幸岩崎仁志首藤浩文永泽鹤美

申请人：

株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

万利军

优先权：

CN202010170190.7

主分类号：

G11B11/105

IPC分类号：

G11B11/105