磁记录介质的制造方法、磁记录介质、以及磁记录和再现装置
授权
摘要

提供一种磁记录介质的制造方法,其中当以氧化物磁性材料为垂直磁记录层并通过等离子体CVD方法形成碳保护层时,可防止碳保护层的剥离以及润滑层的分离,并可获得符合要求的记录和再现特性。在磁记录介质的制造过程中,磁记录介质至少由基底1构成,在基底1上提供垂直磁记录层和碳保护层,其中垂直磁记录层由包括Co合金和氧化物材料的磁性材料构成,该方法包括在基底1上形成垂直磁记录层的垂直磁记录层形成过程,采用加热部分28加热在其上形成有垂直磁记录层的基底的加热过程,以及通过等离子体CVD方法在其上形成有垂直磁记录层的基底1上形成碳保护层的保护层形成过程。

基本信息
专利标题 :
磁记录介质的制造方法、磁记录介质、以及磁记录和再现装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101138025A
申请号 :
CN200680007908.9
公开(公告)日 :
2008-03-05
申请日 :
2006-03-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
冈正裕
申请人 :
昭和电工株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京市中咨律师事务所
代理人 :
杨晓光
优先权 :
CN200680007908.9
主分类号 :
G11B5/84
IPC分类号 :
G11B5/84  G11B5/72  G11B5/64  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B5/00
借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的;用磁性方法进行重现的;为此所用的记录载体
G11B5/84
专用于制造记录载体的方法或设备
法律状态
2010-05-19 :
授权
2008-04-30 :
实质审查的生效
2008-03-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101138025A.PDF
PDF下载
2、
CN101138025B.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332