磁记录介质及其制造方法以及磁存储装置
授权
摘要
本发明提供磁记录介质、磁记录介质的制造方法及磁存储装置。所述磁记录介质依次具有基板、底层、及磁性层，其中，所述底层具有包含由通式MgO(1‑X)表示的化合物的第1底层，该通式中，X位于0.07～0.25的范围内，所述磁性层具有包含具有L10结构的合金的第1磁性层，具有所述L10结构的合金包含从由Al、Si、Ga、及Ge组成的群中选出的1种以上的元素，所述第1底层与所述第1磁性层相接。
基本信息
专利标题 ：
磁记录介质及其制造方法以及磁存储装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113257286A
申请号 ：
CN202110087148.3
公开（公告）日 ：
2021-08-13
申请日 ：
2021-01-22
授权号 ：
CN113257286B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
长坂浩一福岛隆之张磊徐晨柴田寿人山口健洋小柳浩梅本裕二
申请人 ：
昭和电工株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
褚瑶杨
优先权 ：
CN202110087148.3
主分类号 ：
G11B5/82
IPC分类号 ：
G11B5/82
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B5/00
借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体
G11B5/74
按形状区分的记录载体，例如，沿圆筒缠绕成形的片材
G11B5/82
盘状载体
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-08-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11B 5/82
申请日 : 20210122
申请日 : 20210122
2021-08-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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