制造垂直磁记录介质的方法以及垂直磁记录介质
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
为了通过大大地增加磁道密度而增加表面记录密度，同时又保持记录和再现特性不比现有技术中的特性差，将非磁性基底11、靶材料12和磁板21平行地安置在薄膜沉积装置10中。在所述靶材料上施加高频电压，在所述磁板的表面上交替产生间隔均匀的不同极性。将溅射气体引入所述薄膜沉积装置中以在所述靶材料的周围产生等离子体。通过溅射方法在所述非磁性基底上形成薄层。
基本信息
专利标题 ：
制造垂直磁记录介质的方法以及垂直磁记录介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101044555A
申请号 ：
CN200580035627.X
公开（公告）日 ：
2007-09-26
申请日 ：
2005-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
冈正裕
申请人 ：
昭和电工株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
杨晓光
优先权 ：
CN200580035627.X
主分类号 ：
G11B5/851
IPC分类号 ：
G11B5/851 G11B5/65 C23C14/06 G11B5/738 G11B5/64 G11B5/82
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B5/00
借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体
G11B5/84
专用于制造记录载体的方法或设备
G11B5/851
用溅射法涂覆一带磁性层支承的
法律状态
2011-02-02 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101064476725
IPC(主分类) : G11B 5/851
专利申请号 : 200580035627X
公开日 : 20070926
号牌文件序号 : 101064476725
IPC(主分类) : G11B 5/851
专利申请号 : 200580035627X
公开日 : 20070926
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2007-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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