本发明一目的是提供一种具有软磁垫层的垂直磁记录介质，其中钴的流出量被抑制，而无需对保护层的结构加以限制。本发明的垂直磁记录介质包括：依次层压到非磁性衬底上的至少一软磁垫层、磁记录层和保护层，软磁垫层包括铁和钴，并且还包括从Si、Ni、Ta、Nb、Zr、Ti、Cr、Mo和B中选择出的至少两种元素，软磁垫层的表面粗糙度在中线平均粗糙度的0.2nm到0.8nm的范围中。较好地，软磁垫层中的铁浓度在40％原子百分数到85％原子百分数的范围内，钴浓度在10％原子百分数到45％原子百分数的范围内，并且Si、Ni、Ta、Nb、Zr、Ti、Cr、Mo和B的总浓度在20％原子百分数到50％原子百分数的范围内。