垂直磁记录介质以及垂直磁记录/再现装置

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

本发明提供一种垂直磁记录介质，其中，记录密度大大地增加了且晶体结构的偏差很小。一种垂直磁记录介质具有至少一个软磁性衬层、一个取向控制层、一个垂直磁性层、和一个保护层，它们形成在一个非磁性基底上，所述取向控制层由多层构成，包括所述基底一侧的一个籽晶层和一个中间层。最好是，所述籽晶层和所述中间层都具有六角密堆积(hcp)结构，且所述籽晶层的平均颗粒尺寸介于8nm和20nm之间。所述籽晶层的主要成分最好是Mg，所述中间层的主要成分最好是Ru。

基本信息

专利标题：

垂直磁记录介质以及垂直磁记录/再现装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101048815A

申请号：

CN200580036623.3

公开（公告）日：

2007-10-03

申请日：

2005-10-28

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

高桥研冈正裕喜喜津哲

申请人：

昭和电工株式会社;株式会社东芝;高桥研

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

杨晓光

优先权：

CN200580036623.3

主分类号：

G11B5/64

IPC分类号：

G11B5/64 G11B5/65 G11B5/667