磁阻结构、磁阻元件、与存储单元
授权
摘要
本发明提供一种磁阻结构、磁阻元件、与存储单元，具体涉及一种非平面的磁阻结构，包括一个以上的弯曲部分，介于第一部分与第二部分之间，其中第一部分稍微与基底呈垂直，而第二部分稍微与基底呈水平。上述结构可用于存储元件，如：MRAM存储元件，在不减少表面积的情况下，与先前平面磁阻结构相比，其存储密度增加。
基本信息
专利标题 ：
磁阻结构、磁阻元件、与存储单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783335A
申请号 ：
CN200510105996.3
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林俊杰
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510105996.3
主分类号 ：
G11C11/15
IPC分类号 ：
G11C11/15 H01L43/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/00
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件
G11C11/02
应用磁性元件的
G11C11/14
应用薄膜元件的
G11C11/15
应用多层磁性层的
法律状态
2010-05-12 ：
授权
2006-08-02 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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