功率减小的磁阻随机存取存储器元件
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
提供了低功率磁阻随机存储存储器元件以及用于制造该存储器元件的方法。在一个实施例中，磁阻随机存取器件(100)具有存储器元件(102)阵列。每个存储器元件包括固定磁部分(106)、隧道势垒部分(108)和自由SAF结构(104)。该阵列具有有限的磁场编程窗口Hwin，其由式Hwin≈(<Hsat>－Nσsat)－(<Hsw>+Nσsw)表示，其中<Hsw>是关于该阵列的平均切换场，<Hsat>是关于该阵列的平均饱和场，并且关于每个存储器元件(102)的Hsw由式表示，其中Hk表示总的各向异性，而HSAT表示关于每个存储器元件(102)的自由SAF结构的反铁磁耦合饱和场。N是大于或等于1的整数。关于每个存储器元件的Hk、HSAT和N被选择为，阵列(100)所需用于操作的电流低于预定的电流值。
基本信息
专利标题 ：
功率减小的磁阻随机存取存储器元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101048825A
申请号 ：
CN200580036722.1
公开（公告）日 ：
2007-10-03
申请日 ：
2005-11-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
尼古拉斯·D·里佐雷努·W·戴夫布雷德利·N·恩格尔贾森·A·雅内斯基孙继军
申请人 ：
飞思卡尔半导体公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
穆德骏
优先权 ：
CN200580036722.1
主分类号 ：
G11C19/08
IPC分类号 ：
G11C19/08 G11C15/02 G11C11/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C19/00
所存储的信息是步进移动的数字存储器，例如：移位寄存器
G11C19/02
应用磁性元件的
G11C19/08
应用平面结构薄膜的
法律状态
2017-01-04 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101744313900
IPC(主分类) : G11C 19/08
专利号 : ZL2005800367221
变更事项 : 专利权人
变更前 : 爱沃斯宾技术公司
变更后 : 艾沃思宾技术公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国亚利桑那州
变更后 : 美国亚利桑那州
号牌文件序号 : 101744313900
IPC(主分类) : G11C 19/08
专利号 : ZL2005800367221
变更事项 : 专利权人
变更前 : 爱沃斯宾技术公司
变更后 : 艾沃思宾技术公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国亚利桑那州
变更后 : 美国亚利桑那州
2009-08-19 ：
授权
2007-11-28 ：
实质审查的生效
2007-10-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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