双元件磁阻读出头
专利申请的视为撤回
摘要
一种读/写磁头包括一个双元件磁阻读出头和一个叠置的感应式磁头。磁阻读出器的结构包括两个间隔开的磁阻元件，在这两个元件上淀积着反铁磁(AFe)薄膜，最好为铁锰薄膜。反铁磁薄膜作为磁阻元件的交换偏置磁层，以相反方向并垂直于磁介质表面偏置磁阻层。差动地读出所记录的磁信号，并且输出信号的特点在于增加了幅度和提高信噪比。
基本信息
专利标题 ：
双元件磁阻读出头
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1087194A
申请号 ：
CN93114800.6
公开（公告）日 ：
1994-05-25
申请日 ：
1993-11-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
丹尼尔·A·内皮拉埃里奇·P·瓦斯泰恩
申请人 ：
里德-莱特公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
姜华
优先权 ：
CN93114800.6
主分类号 ：
G11B5/39
IPC分类号 ：
G11B5/39
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B5/00
借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体
G11B5/127
磁头的结构或制造，例如电感应的
G11B5/33
磁通敏感磁头的结构或制造
G11B5/39
使用磁阻装置的
法律状态
1999-03-10 ：
专利申请的视为撤回
1996-02-28 ：
实质审查请求的生效
1994-05-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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