磁阻读出传感器
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
一种磁阻读出传感器组件，由淀积在端区并与之直接接触的反铁磁性材料薄膜产生的互调偏置仅在磁阻层薄膜端区建立纵向偏置磁场。该场强足以保持此端区处于单磁畴状态，由此在磁阻层中心区感生出单磁畴状态。在磁阻层中心区建立偏置磁场，其场强足以保持该区处于线性响应工作状态。彼此隔开的导电元件与磁阻层中心区相连以确定探测区，于是与导电元件相连的信号输出装置可把探测区内磁阻层的电阻变化确定为其截获到的磁场的函数。
基本信息
专利标题 ：
磁阻读出传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86105533A
申请号 ：
CN86105533.0
公开（公告）日 ：
1987-04-29
申请日 ：
1986-07-30
授权号 ：
CN1008668B
授权日 ：
1990-07-04
发明人 ：
唐清华
申请人 ：
国际商用机器公司
申请人地址 ：
美国纽约州10504
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN86105533.0
主分类号 ：
G11B5/39
IPC分类号 ：
G11B5/39
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B5/00
借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体
G11B5/127
磁头的结构或制造，例如电感应的
G11B5/33
磁通敏感磁头的结构或制造
G11B5/39
使用磁阻装置的
法律状态
2002-03-20 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1991-01-23 ：
授权
1990-07-04 ：
审定
1988-09-28 ：
实质审查请求
1987-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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