磁阻传感器及其制造方法

专利权的终止

摘要

基于自旋阀效应的ＭＲ读出传感器内的读出元件电阻的一个分量随两个相邻磁性层的磁化方向夹角的余弦值变化而变化。该读出元件含有由一非磁性金属层隔开的两个铁磁层。在两铁磁层之一上形成一个反铁磁材料层以对该铁磁层提供一个交互偏置磁场，使其磁化方向固定。在该铁磁层与该反铁磁层之间淀积一个软磁性夹层，将铁磁层与反铁磁层隔开，以增强交互耦合。铁磁材料是铁或铁合金。

基本信息

专利标题：

磁阻传感器及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1083250A

申请号：

CN93108493.8

公开（公告）日：

1994-03-02

申请日：

1993-07-28

授权号：

CN1043935C

授权日：

1999-06-30

发明人：

佩特·Ｍ·鲍姆加特伯纳德·迪恩布鲁斯·Ａ·格尼弗吉尔·Ｓ·斯珀尤萨丹尼斯·Ｒ·威尔霍伊特

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

陆立英

优先权：

CN93108493.8

主分类号：

G11B5/39

IPC分类号：

G11B5/39