包括分层铁磁结构的磁阻器件及制造该磁阻器件的方法
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摘要
公开了一种包括分层铁磁结构的磁阻器件及制造该磁阻器件的方法，该分层铁磁结构包括：位于衬底上方的第一铁磁层(11)；位于第一铁磁层(11)上方的第二铁磁层(13)；以及位于第一和第二铁磁层(11、13)之间的第一非磁层(12)。第一铁磁层(11)的顶表面和第一非磁层(12)接触。第一铁磁层(11)包括第一取向控制缓冲器(22)，该第一取向控制缓冲器(22)表现出提高它上面形成的膜的结晶取向的作用。
基本信息
专利标题 ：
包括分层铁磁结构的磁阻器件及制造该磁阻器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822219A
申请号 ：
CN200610008529.3
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-02-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
福本能之五十岚忠二
申请人 ：
日本电气株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱进桂
优先权 ：
CN200610008529.3
主分类号 ：
G11C11/15
IPC分类号 ：
G11C11/15 G11C11/18 H01L43/08 H01F10/32 H01F10/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/00
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件
G11C11/02
应用磁性元件的
G11C11/14
应用薄膜元件的
G11C11/15
应用多层磁性层的
法律状态
2011-06-15 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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