基于波动磁阻的磁阻传感器及磁阻感测系统

专利权的终止

摘要

一种由在基片上形成的多层结构组成的磁阻（ＭＲ）传感器，包括交替的铁磁材料层和非磁性金属材料层。铁磁材料和非磁性材料构成双层，它显示了这样的特性，即多层结构的磁阻作为非磁性材料层厚度的函数而波动。产生一个流经ＭＲ传感器的电流，并且检测作为被测磁场函数的ＭＲ传感器的电阻率的变化情况。

基本信息

专利标题：

基于波动磁阻的磁阻传感器及磁阻感测系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1063960A

申请号：

CN92100326.9

公开（公告）日：

1992-08-26

申请日：

1992-01-21

授权号：

CN1044044C

授权日：

1999-07-07

发明人：

斯图尔特·斯蒂芬·帕沃思·帕克林凯文·帕特里克·罗齐

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

付建军

优先权：

CN92100326.9

主分类号：

G11B5/39

IPC分类号：

G11B5/39

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11B

基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储

G11B5/00

借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体

G11B5/127

磁头的结构或制造，例如电感应的

G11B5/33

磁通敏感磁头的结构或制造

G11B5/39

使用磁阻装置的

法律状态

2011-03-30 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101060890732
IPC(主分类) : G11B 5/39
专利号 : ZL921003269
申请日 : 19920121
授权公告日 : 19990707
终止日期 : 20100221

2004-02-25 ：

专利申请权、专利权的转移专利权的转移

变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 日立环球储存科技荷兰有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 荷兰阿姆斯特丹
登记生效日 : 20040106

2002-06-12 ：

其他有关事项

1999-07-07 ：

授权

1992-08-26 ：

公开

1992-07-29 ：

实质审查请求已生效的专利申请

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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