一种优化的磁阻传感器及磁阻感测结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型涉及传感器技术领域,尤其涉及一种磁阻传感器及磁阻感测结构,其中,包括:一基体,于基体的平面设置至少一个倾斜沟槽,倾斜沟槽包括两个斜面,每个斜面设置多个串联的磁阻感测单元,每个磁阻感测单元上设置有多个导体单元,形成至少一桥臂;多个导体单元和多个磁阻感测单元均延伸至基体的平面和斜面的底部平面。有益效果:便于感测垂直方向磁分量和\或水平方向磁分量,可减低斜面角度偏大时斜面刻蚀偏差带来的灵敏度低下的问题,弥补工艺误差且提高磁场的测量精度,以及提高产品的整体良率。

基本信息
专利标题 :
一种优化的磁阻传感器及磁阻感测结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022371023.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-22
授权号 :
CN213337994U
授权日 :
2021-06-01
发明人 :
郭慧芳
申请人 :
上海矽睿科技有限公司
申请人地址 :
上海市嘉定区城北路235号2号楼1层
代理机构 :
上海申新律师事务所
代理人 :
俞涤炯
优先权 :
CN202022371023.7
主分类号 :
G01R33/02
IPC分类号 :
G01R33/02  G01R33/09  G01R33/10  G01R33/06  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
法律状态
2021-08-27 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : G01R 33/02
变更事项 : 专利权人
变更前 : 上海矽睿科技有限公司
变更后 : 上海矽睿科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201800 上海市嘉定区城北路235号2号楼1层
变更后 : 200050 上海市长宁区定西路1328号3楼307室
2021-06-01 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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