磁记录阵列和储备池元件
公开
摘要
本实施方式的磁记录阵列(200)包括：多个自旋元件(100)，其各自具有配线(20)和层叠于所述配线上的包含第1铁磁性层(1)的层叠体(10)，且呈矩阵状排列；多个写入配线(Wp1‑Wpn)，其与所述多个自旋元件各自的所述配线的第1端连接；多个读取配线(Rp1‑Rpn)，其与所述多个自旋元件各自的所述层叠体连接；以及多个共用配线(Cm1‑Cmn)，其与属于相同列的各个自旋元件的所述配线的第2端连接，所述共用配线的电阻比所述写入配线或所述读取配线低。
基本信息
专利标题 ：
磁记录阵列和储备池元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616666A
申请号 ：
CN202080075225.7
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-02-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
盐川阳平
申请人 ：
TDK株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨琦
优先权 ：
CN202080075225.7
主分类号 ：
H01L27/105
IPC分类号 ：
H01L27/105 G06N3/063 H01L21/8239 H01L29/82 H01L43/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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