一种储备池元件的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明属于人工智能技术领域，尤其涉及一种储备池元件的制备方法。该方法包括以下步骤：a)在衬底上依次设置底电极层、介质层、阻变层和顶电极层，得到待退火储备池元件；b)将所述待退火储备池元件进行退火处理，得到储备池元件；所述退火处理的温度为300～700℃；所述退火处理的时间为30～100s。本发明提供的方法在制备得到储备池元件后对其进行了快速退火处理，快速退火后缺陷会再分布，形成更加稳定的膜层，同时还能在膜层中引入铁电O相。通过快速退火处理，可以有效降低储备池元件的功耗，提高计算准确率。
基本信息
专利标题 ：
一种储备池元件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284431A
申请号 ：
CN202111593480.3
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许晓欣孙文绚余杰赖锦茹郑旭董大年
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区亚运村街道北土城西路3号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
张倩
优先权 ：
CN202111593480.3
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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