半导体元件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底、一存储电容器、一存取晶体管以及至少一导电特征，而该至少一导电特征电性耦接该存储电容器到该存取晶体管。该基底具有至少一绝缘特征，该至少一绝缘特征界定出多个主动区，其中，该存取晶体管的多个掺杂区位在该主动区中。该存储电容器设置在该基底上，以及该导电特征从该存储电容器延伸进入该基底设置有其中一掺杂区的一部分处。因此，增加该存取晶体管与该导电特征之间的一接触面积，且提升该紧密的半导体元件的一操作速度。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497043A
申请号 ：
CN202110923104.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-08-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吕增富
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202110923104.X
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20210812
申请日 : 20210812
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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