光敏元件的制备方法及半导体器件
公开
摘要
本申请涉及一种光敏元件的制备方法及半导体器件。该光敏元件的制备方法包括：提供衬底，在衬底的正面和背面分别生长第一氧化层；通过光刻的方式刻蚀掉衬底背面的第一氧化层和衬底正面周侧的第一氧化层，并通过湿法刻蚀去除光刻胶；分别对衬底的正面和背面进行离子注入生成第一掺杂区，在对衬底任一面进行离子注入时，通过保护膜保护衬底另一面；对衬底的正面和背面进行高温推结，在第一氧化层的正面、第一掺杂区的正面以及第一掺杂区的背面分别生长第二氧化层；通过光刻的方式刻蚀掉衬底正面的第一氧化层和第二氧化层，并通过干法刻蚀去除光刻胶；并在衬底正面生成第二掺杂区。本申请能够精确控制浓度和深度，节省材料和工序。
基本信息
专利标题 ：
光敏元件的制备方法及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300581A
申请号 ：
CN202111662589.8
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐兴达任宏志
申请人 ：
北海惠科半导体科技有限公司
申请人地址 ：
广西壮族自治区北海市工业园区北海大道东延线336号广西惠科科技有限公司16幢三楼301室
代理机构 ：
北京华夏泰和知识产权代理有限公司
代理人 ：
石鸣宇
优先权 ：
CN202111662589.8
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/103 H01L21/265 H01L21/311
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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