半导体元件及其制备方法
公开
摘要
本公开提供一种具有一共享电极的多个电容器的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一第一电容器单元、一第二电容器单元以及一连接结构。该第一电容器单元具有一下导电结构以及一共享导电层，该下导电结构朝内位在该基底中，该共享导电层位在该下导电结构上，且一第一隔离层插置在该共享导电层与该下导电结构之间。该第二电容器单元具有该共享导电层以及一上导电层，该上导电层位在该共享导电层上，且一第二隔离层插置在该共享导电层与该上导电层之间。该连接结构电性连接该下导电结构与该上导电层，以使该第一电容器单元与该第二电容器单元是呈平行。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628321A
申请号 ：
CN202110986890.8
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-08-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄至伟
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202110986890.8
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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