一种半导体元件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种半导体元件及其制备方法，其中制备方法包括：提供衬底，在衬底上形成外延层；外延层远离衬底的一侧包括沟槽；于沟槽的侧壁以及底部形成第一绝缘层，并在第一绝缘层所围空间中形成第一多晶硅层和第二多晶硅层；其中第二多晶硅层作为栅极多晶硅，第二多晶硅层与沟槽之间的第一绝缘层作为栅绝缘层；在外延层中形成体区和源极区；在沟槽底部的第一绝缘层中形成补偿电荷区；补偿电荷区中电荷产生的电场用于减弱外延层中耐压较弱位置的电场强度，以提高半导体元件的耐压值至目标耐压值。本发明实施例提供的技术方案有效的提高器件的耐压性能，无需在沟槽不同的深度精准把控第一绝缘层不同的厚度，简化了提高器件耐压性能的方式。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体元件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373803A
申请号 ：
CN202210013765.3
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2022-01-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗志云王飞潘梦瑜
申请人 ：
恒泰柯半导体（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路560号902C-7室
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
孔凡红
优先权 ：
CN202210013765.3
主分类号 ：
H01L29/51
IPC分类号 ：
H01L29/51 H01L21/336 H01L29/786
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/51
申请日 : 20220107
申请日 : 20220107
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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