一种半导体元件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例公开了一种半导体元件及其制备方法。半导体元件中，外延层远离衬底的一侧包括沟槽；氧化层位于沟槽内；栅极多晶硅层和源极多晶硅层均内嵌于氧化层中，栅极多晶硅层和源极多晶硅层之间以该氧化层隔开，氧化层至少暴露栅极多晶硅层的远离衬底的表面；体区和源区均形成于外延层的远离衬底的一端中，体区和源区均位于栅极多晶硅层的左右两侧，相对于源区而言体区位于源区靠近衬底的一侧；源极电极位于体区远离衬底的一侧并与源区电连接；源极多晶硅层与源极电极电连接，源极多晶硅层的掺杂离子的类型与栅极多晶硅层的掺杂离子的类型相反；据此减小了MOSFET在体二极管反向恢复时所需要的电荷总量，从而减小了漏源电压VDS尖峰。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体元件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497225A
申请号 ：
CN202210138070.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗志云王飞潘梦瑜
申请人 ：
恒泰柯半导体（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路560号902C-7室
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
苏舒音
优先权 ：
CN202210138070.8
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/49 H01L29/45 H01L21/336
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20220215
申请日 : 20220215
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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