半导体元件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一半导体晶粒，具有一第一导电层；一第一蚀刻终止层，位于该第一导电层上；一第二半导体晶粒，具有一第二导电层，该第二导电层位于该第一蚀刻终止层上；一第二蚀刻终止层，位于该第二导电层上；一第一贯穿基底通孔，沿着该第二半导体晶粒与该第一蚀刻终止层设置，延伸到该第一半导体晶粒，并位于该第一导电层上；以及一第二贯穿基底通孔，延伸到该第二半导体晶粒，沿着该第二蚀刻终止层设置，并位于该第二导电层上。该第二蚀刻终止层的一厚度大于该第一蚀刻终止层的一厚度。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446871A
申请号 ：
CN202111067686.2
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-09-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
施信益
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202111067686.2
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20210913
申请日 : 20210913
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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