半导体元件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板；一第一衬垫，位于该基板上方；以及一第一重分布结构，包括位于该第一衬垫上的一第一重分布导电层和位于该第一重分布导电层上的一第一重分布热释放层。该第一重分布热释放层被配置以维持一热电阻介于约0.04℃cm2/Watt到约0.25℃cm2/Watt之间。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520207A
申请号 ：
CN202110975248.X
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2021-08-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何家铭
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202110975248.X
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L21/60 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/488
申请日 : 20210824
申请日 : 20210824
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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