半导体元件及其制备方法
公开
摘要
本公开提供一种具有连接到重分布层(RDL)的反熔丝和金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括设置于一半导体基板之上的一第一导电部分和一第二导电部分。该半导体元件也包括覆盖该第一导电部分和该第二导电部分的一钝化层。该第一导电部分、该第二导电部分、和其间的一部分该钝化层形成一反熔丝。该半导体元件还包括设置于该钝化层之上的一第一金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器和一第一重分布层(RDL)。该第一MIM电容器和该第一RDL电性连接到该第一导电部分，且该第一MIM电容器的一第一金属层与该第一RDL一体成型。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582833A
申请号 ：
CN202110900986.8
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-08-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄则尧
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202110900986.8
主分类号 ：
H01L23/525
IPC分类号 ：
H01L23/525 H01L23/522 H01L21/768 H01L27/112
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/525
具有可适用互连装置的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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