半导体元件、半导体组件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种半导体元件、一半导体组件及该半导体组件的制备方法。该半导体元件包括一基底；一导电特征，位在该基底中；一绝缘衬垫，位在该基底与该导电特征之间；以及一主要部件，位在该基底中。该导电特征具有第一到第三区块。该第一区块具有一均匀的第一临界尺寸，其中该主要部件设置在该第一区块周围。该第二区块具有一均匀的第二临界尺寸，该第二临界尺寸是大于该第一临界尺寸。该第三区块插置在该第一区块与该第二区块之间，并具有多个变化的第三临界尺寸。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件、半导体组件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388472A
申请号 ：
CN202110842448.8
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-07-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
施信益锺政廷
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202110842448.8
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L23/528 H01L25/18 H01L21/56 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20210726
申请日 : 20210726
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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