一种半导体元件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种半导体元件及其制备方法。半导体元件中，外延层远离衬底的一侧包括沟槽；氧化层位于沟槽内；栅极多晶硅层和源极多晶硅层均内嵌于氧化层中，并以该氧化层隔开；体区和源区均位于栅极多晶硅层的左右两侧，体区位于源区靠近衬底的一侧；源极电极位于体区远离衬底的一侧并与源区以及源极多晶硅层电连接，源极多晶硅层包括至少两层沿垂直于衬底的方向层叠设置的源极多晶硅子层；源极多晶硅层的掺杂离子的类型与源极多晶硅子层的掺杂离子的类型相反，并且靠近沟槽底部的源极多晶硅子层掺杂离子的浓度低于远离沟槽底部的源极多晶硅子层掺杂离子的浓度；减小了MOSFET在体二极管反向恢复时所需的电荷总量，从而减小漏源电压尖峰。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体元件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497226A
申请号 ：
CN202210138082.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗志云王飞潘梦瑜
申请人 ：
恒泰柯半导体（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路560号902C-7室
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
苏舒音
优先权 ：
CN202210138082.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/49 H01L29/45 H01L21/336
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20220215
申请日 : 20220215
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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