半导体元件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底、一电容接触点结构以及一着陆垫层。该电容接触点结构从该基底突伸。该着陆垫层覆盖该电容接触点结构的一上表面的一部分以及该电容接触点结构的一侧壁的一上部。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373733A
申请号 ：
CN202110935615.3
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-08-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
施江林陈志宏章思尧
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
聂慧荃
优先权 ：
CN202110935615.3
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20210816
申请日 : 20210816
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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