半导体元件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包含：一基底；多个导电层，位在该基底上；一碳硬遮罩层，位在所述导电层上；一隔离层，包括一下部以及一上部；以及一导电通孔，沿着该隔离层的该上部与该碳硬遮罩层设置，并位在一相邻对的导电层的其中一个上。该下部沿着该碳硬遮罩层设置，并位在该相邻对的导电层之间，以及该上部位在该下部上并位在该碳硬遮罩层上。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512454A
申请号 ：
CN202110957829.0
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-08-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何家铭
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202110957829.0
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/48
申请日 : 20210819
申请日 : 20210819
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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