光敏半导体器件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要

一种对辐射敏感的半导体器件,特别是一种确定发光点位置的光电探测器。该器件包括一具有至少两个对辐射敏感的二极管的半导体本体和放大由发光点产生的光电流的装置。该装置配有在半导体本体为对辐射敏感的二极管占据的部位外的晶体管。各晶体管供一对辐射敏感的二极管专用且连接到该二极管上,同时至少各晶体管起作用的部分彼此在半导体本体中配置得比它们专用的二极管密。本发明还涉及包括这种半导体光电探测器的聚焦设备。

基本信息
专利标题 :
光敏半导体器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1047759A
申请号 :
CN90104034.7
公开(公告)日 :
1990-12-12
申请日 :
1990-05-30
授权号 :
CN1021677C
授权日 :
1993-07-21
发明人 :
马丁纳斯·皮特勒斯·玛丽亚·比尔霍夫乔布·弗朗西斯卡斯·皮特勒斯·范米尔
申请人 :
菲利浦光灯制造公司
申请人地址 :
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
肖掬昌
优先权 :
CN90104034.7
主分类号 :
H01L27/144
IPC分类号 :
H01L27/144  H01L31/101  H01L31/10  
法律状态
2003-07-23 :
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24 :
其他有关事项
1998-12-16 :
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 菲利浦电子有限公司
变更后 : 皇家菲利浦电子有限公司
1997-12-24 :
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 菲利浦光灯制造公司
变更后 : 菲利浦电子有限公司
1993-07-21 :
授权
1992-09-09 :
实质审查请求已生效的专利申请
1990-12-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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