半导体器件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种半导体器件，包括：在内部形成了铜布线(19)的低介电常数膜(5a～5c)；配置在低介电常数膜(5c)的上侧的氧化硅膜(6，7a)；配置在氧化硅膜(6，7a)的上侧的表面保护膜(43)；围绕电路形成区域的周围而形成的密封环(23)；平视时形成在密封环(23)的外侧的槽部(22)。槽部(22)形成为其底部位于比低介电常数膜(5c)更上侧的位置，其底部为比铜布线(19)的上端更低。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819157A
申请号 ：
CN200510138044.1
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-11-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
古泽健志松本雅弘森本升松浦正纯
申请人 ：
株式会社瑞萨科技
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
浦柏明
优先权 ：
CN200510138044.1
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L23/58 H01L23/522
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2009-05-20 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-01-09 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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