半导体传感器
专利权的视为放弃
摘要
本发明提供一种可进一步提高生产率的半导体传感器。在构成静电电容检测型的半导体扩音器、在半导体基板18上形成隔膜电极19和固定电极20的对向电极的扩音器芯片15上，形成埋入半导体的贯通电极26，以连通该半导体基板18的上面和下面。因此，当然不用引线接合、可通过贯通电极26，直接将由隔膜电极19等构成的MEMS结构电连接到印刷电路基板11的引线。
基本信息
专利标题 ：
半导体传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822722A
申请号 ：
CN200610006986.9
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
松原直辉
申请人 ：
三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本国大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李香兰
优先权 ：
CN200610006986.9
主分类号 ：
H04R19/04
IPC分类号 ：
H04R19/04 H04R1/02 G01L19/14 H01L23/00
法律状态
2013-01-16 ：
专利权的视为放弃
专利申请号 : 2006100069869
放弃生效日 : 20060823
号牌文件类型代码 : 1606
号牌文件序号 : 101379934679
IPC(主分类) : H04R 19/04
放弃生效日 : 20060823
号牌文件类型代码 : 1606
号牌文件序号 : 101379934679
IPC(主分类) : H04R 19/04
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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