半导体钙离子传感器
专利权的终止
摘要
半导体钙离子传感器是一种电化学分析仪器的微型探头，它是由Mos管、敏感膜、电极杆组装成。由Mos管栅极引出一根铂丝，在其表面涂复一层敏感膜，此膜用二(2—辛基苯基磷酸)钙组成，Mos管引出的探头接口处用硅橡胶密封。此电极测试性能稳定，灵敏度高，能专一的检测待测液中钙离子的活度。
基本信息
专利标题 ：
半导体钙离子传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN85201229.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN85201229U
授权日 ：
1986-02-12
发明人 ：
付庭治黄德培朱春生
申请人 ：
南京大学
申请人地址 ：
江苏省南京市南京大学科研处
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN85201229.2
主分类号 ：
G01N27/30
IPC分类号 ：
G01N27/30
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/30
•••电极，例如测试电极；半电池
法律状态
1989-12-13 ：
专利权的终止
1986-08-27 ：
授权
1986-02-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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