半导体图像传感器
授权
摘要
本发明提供一种对近红外光高灵敏度且实现小面积下的集成化的半导体图像传感器。本发明的半导体图像传感器包括：光接收元件，形成于SOI基板的所述绝缘膜下的硅基板，并且沿着与硅基板的主面垂直的方向形成，且包括对近红外光具有灵敏度的pn接合二极管，所述SOI基板包括硅基板、形成于所述硅基板上的绝缘膜及形成于绝缘膜上的半导体层；以及高电压产生电路，产生用来对pn接合二极管施加反向偏压的施加电压，硅基板的杂质浓度处于1×1012/cm3至1×1014/cm3的范围内，膜厚处于300μm至700μm的范围内，施加电压处于10V至60V的范围内。
基本信息
专利标题 ：
半导体图像传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113785396A
申请号 ：
CN202080028666.1
公开（公告）日 ：
2021-12-10
申请日 ：
2020-04-10
授权号 ：
CN113785396B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
仓知郁生高野纮鹿岛保昌
申请人 ：
株式会社光轮
申请人地址 ：
日本长野县东御市滋野乙
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
关志琨
优先权 ：
CN202080028666.1
主分类号 ：
H01L27/144
IPC分类号 ：
H01L27/144 H01L27/146 H04N5/369
相关图片
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-12-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/144
申请日 : 20200410
申请日 : 20200410
2021-12-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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