半导体器件及其制作方法以及图像传感器
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种半导体器件及其制作方法以及图像传感器，半导体器件的制作方法包括骤：提供第一基底；在所述第一基底上形成多个第一沟槽；对所述第一沟槽进行氧化，以将所述第一沟槽的内壁上的部分基底氧化成二氧化硅膜层；及去除所述二氧化硅膜层，形成多个第二沟槽。本发明提供一种半导体器件及其制作方法以及图像传感器具有优异的像素性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制作方法以及图像传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388429A
申请号 ：
CN202210063575.2
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴恙杨帆胡胜杨道虹
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟霞
优先权 ：
CN202210063575.2
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L27/146
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20220120
申请日 : 20220120
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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