半导体器件以及包括半导体器件的图像传感器
公开
摘要
半导体器件可以包括：有源鳍，在衬底上在第一方向上延伸并且包括在位于与所述第一方向相交的第二方向上的两侧开口的凹陷部；源极区和漏极区，分别邻近所述有源鳍的相对端；栅电极，在所述有源鳍的所述凹陷部的上表面上沿所述第二方向横贯所述有源鳍，并且延伸到邻近所述凹陷部的侧面区域；以及栅绝缘层，在所述有源鳍与所述栅电极之间。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件以及包括半导体器件的图像传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530494A
申请号 ：
CN202111390039.5
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2021-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金声仁宋泰荣高宗贤
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
吴晓兵
优先权 ：
CN202111390039.5
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/78 H01L27/146
法律状态
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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