半导体器件、包括该半导体器件的半导体装置和电子设备
公开
摘要
本发明公开了一种半导体器件、包括该半导体器件的半导体装置、以及包括该半导体器件的电子设备。该半导体装置包括多个半导体器件。半导体器件均在两个电极之间包括铁电层、导电金属氧化物层和半导体层。导电金属氧化物层可以在铁电层和半导体层之间。铁电层、导电金属氧化物层和半导体层可以都包括金属氧化物。导电金属氧化物层可以包括从由铟氧化物、锌氧化物、锡氧化物及其任意组合组成的组中选择的一种或更多种材料。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件、包括该半导体器件的半导体装置和电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551719A
申请号 ：
CN202111419151.7
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许镇盛文泰欢裵鹤烈南胜杰金尚昱李光熙
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
弋桂芬
优先权 ：
CN202111419151.7
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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