包括沟槽的半导体器件和制造半导体器件的方法

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摘要

本发明涉及包括沟槽的半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括在第一沟槽中包括第一栅电极的第一晶体管单元。所述半导体器件进一步包括在第二沟槽中包括第二栅电极的第二晶体管单元，其中第一和第二栅电极被电连接。所述半导体器件进一步包括第一和第二沟槽之间的第三沟槽，其中第三沟槽从半导体主体的第一侧比第一和第二沟槽更深地延伸到半导体主体中。所述半导体器件进一步包括第三沟槽中的覆盖第三沟槽的底侧和壁的电介质。

基本信息

专利标题：

包括沟槽的半导体器件和制造半导体器件的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108054144A

申请号：

CN201810088622.2

公开（公告）日：

2018-05-18

申请日：

2013-11-29

授权号：

CN108054144B

授权日：

2022-05-13

发明人：

M.科托罗格亚H-P.费尔斯尔Y.加夫利纳F.J.桑托斯罗德里古斯H-J.舒尔策G.赛贝特A.R.施特格纳W.瓦格纳

申请人：

英飞凌科技股份有限公司

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

王健

优先权：

CN201810088622.2

主分类号：

H01L21/8234

IPC分类号：

H01L21/8234 H01L27/088 H01L29/06 H01L29/40 H01L21/336 H01L29/78 H01L29/08 H01L29/423