半导体器件及其制造方法以及包括半导体器件的电子系统
公开
摘要
公开了一种半导体器件及其制造方法以及包括半导体器件的电子系统。该半导体器件可以包括：栅极堆叠，所述栅极堆叠在衬底上，在第一方向上彼此间隔开，并且包括交替地堆叠的电极和单元绝缘层；分离结构，在栅极堆叠之间并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；竖直结构，穿透栅极堆叠并且在竖直结构的上部上具有导电焊盘；支撑结构，在栅极堆叠上；位线，在支撑结构上；以及接触插塞，穿透支撑结构并且将位线电连接到竖直结构。支撑结构在分离结构上的部分的底表面可以低于导电焊盘的顶表面。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法以及包括半导体器件的电子系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446979A
申请号 ：
CN202110940284.2
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-08-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金江旻朴庆晋李璱智李惠珍
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
倪斌
优先权 ：
CN202110940284.2
主分类号 ：
H01L27/11548
IPC分类号 ：
H01L27/11548 H01L27/11556 H01L27/11575 H01L27/11582
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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