半导体器件及其制造方法及包括该半导体器件的电子设备

授权

摘要

本公开提供了一种半导体器件及其制造方法及包括该半导体器件的电子设备。根据实施例，半导体器件包括：衬底；与衬底间隔开、在衬底表面上方横向延伸的半导体纳米结构；环绕半导体纳米结构的外周形成的栅堆叠。半导体纳米结构下方的栅堆叠部分包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁，半导体纳米结构上方的栅堆叠部分包括彼此相对的第三侧壁和第四侧壁。第一侧壁的至少一部分与第三侧壁的至少一部分基本共面，和/或第二侧壁的至少一部分与第四侧壁的至少一部分基本共面。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其制造方法及包括该半导体器件的电子设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109411539A

申请号：

CN201811264731.1

公开（公告）日：

2019-03-01

申请日：

2018-10-26

授权号：

CN109411539B

授权日：

2022-04-19

发明人：

朱慧珑

申请人：

中国科学院微电子研究所

申请人地址：

北京市朝阳区北土城西路3号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

倪斌

优先权：

CN201811264731.1

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336 B82Y40/00 B82Y10/00