半导体器件、制造其的方法和包括其的半导体器件阵列
公开
摘要
公开了半导体器件、制造其的方法和包括其的半导体器件阵列。该方法包括：在至少一个衬底之上提供至少一个沟道结构；在执行栅极切割工艺之前，在所述至少一个沟道结构上沉积至少一个栅极遮罩层，使得所述至少一个栅极遮罩层形成在所述至少一个沟道结构的顶表面和侧表面上，并在所述至少一个衬底之上向外扩展以形成所述至少一个栅极遮罩层的外延伸部分，其中所述至少一个栅极遮罩层通过沉积相对于所述至少一个沟道结构自对准；以及去除所述至少一个栅极遮罩层的外延伸部分，使得在所述至少一个沟道结构两侧的所述至少一个栅极遮罩层具有相同的宽度。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件、制造其的方法和包括其的半导体器件阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512480A
申请号 ：
CN202110972692.6
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-08-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋昇炫洪炳鹤全辉璨
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
程丹辰
优先权 ：
CN202110972692.6
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L27/092 H01L29/78 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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